casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased / DDTA143XE-7-F
codice articolo del costruttore | DDTA143XE-7-F |
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Numero di parte futuro | FT-DDTA143XE-7-F |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
DDTA143XE-7-F Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | PNP - Pre-Biased |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 4.7 kOhms |
Resistor - Emitter Base (R2) | 10 kOhms |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 30 @ 10mA, 5V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 500nA |
Frequenza - Transizione | 250MHz |
Potenza - Max | 150mW |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SOT-523 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-523 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DDTA143XE-7-F Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | DDTA143XE-7-F-FT |
BCR 164F E6327
Infineon Technologies
BCR 166F E6327
Infineon Technologies
BCR 169F E6327
Infineon Technologies
BCR 179F E6327
Infineon Technologies
BCR 183F E6327
Infineon Technologies
BCR 189F E6327
Infineon Technologies
BCR 191F E6327
Infineon Technologies
BCR 192F E6327
Infineon Technologies
BCR 196F E6327
Infineon Technologies
BCR 198F E6327
Infineon Technologies
LFE2-70SE-6FN900I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX027E3F27E2LG
Intel
XC7VX485T-1FFG1158C
Xilinx Inc.
LFE2M50E-6FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2280E-5B256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1C4F400C8N
Intel
5CEBA2U15I7
Intel
EPF10K200SRC240-3N
Intel
EPF10K50VQI240-2N
Intel
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Intel