casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased / DDTC125TCA-7-F
codice articolo del costruttore | DDTC125TCA-7-F |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-DDTC125TCA-7-F |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
DDTC125TCA-7-F Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 200 kOhms |
Resistor - Emitter Base (R2) | - |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 1mA, 5V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 50µA, 500µA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 500nA (ICBO) |
Frequenza - Transizione | 250MHz |
Potenza - Max | 200mW |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-23-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DDTC125TCA-7-F Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | DDTC125TCA-7-F-FT |
BCR 103L3 E6327
Infineon Technologies
BCR 108L3 E6327
Infineon Technologies
BCR 112L3 E6327
Infineon Technologies
BCR 114L3 E6327
Infineon Technologies
BCR 116L3 E6327
Infineon Technologies
BCR 119L3 E6327
Infineon Technologies
BCR 129L3 E6327
Infineon Technologies
BCR 133L3 E6327
Infineon Technologies
BCR 135L3 E6327
Infineon Technologies
BCR 139L3 E6327
Infineon Technologies
XC3S100E-4TQ144I
Xilinx Inc.
M2GL010T-VFG400I
Microsemi Corporation
10CL040YF484C6G
Intel
EP4CGX75CF23I7
Intel
5SGXMA5N3F40I4N
Intel
EP4CE10E22C9LN
Intel
XC7VX690T-1FFG1761C
Xilinx Inc.
XC7S6-2CSGA225I
Xilinx Inc.
A42MX24-FPQ160
Microsemi Corporation
AGL060V2-CS121I
Microsemi Corporation