casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased / DDTA114WCA-7
codice articolo del costruttore | DDTA114WCA-7 |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-DDTA114WCA-7 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
DDTA114WCA-7 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Discontinued at Future Semiconductor |
Transistor Type | PNP - Pre-Biased |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 10 kOhms |
Resistor - Emitter Base (R2) | 4.7 kOhms |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 24 @ 10mA, 5V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 500nA |
Frequenza - Transizione | 250MHz |
Potenza - Max | 200mW |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-23-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DDTA114WCA-7 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | DDTA114WCA-7-FT |
BCR 133L3 E6327
Infineon Technologies
BCR 135L3 E6327
Infineon Technologies
BCR 139L3 E6327
Infineon Technologies
BCR 141L3 E6327
Infineon Technologies
BCR 142L3 E6327
Infineon Technologies
BCR 146L3 E6327
Infineon Technologies
BCR 148L3 E6327
Infineon Technologies
BCR 149L3 E6327
Infineon Technologies
BCR 151L3 E6327
Infineon Technologies
BCR 153L3 E6327
Infineon Technologies
XC3S1600E-4FGG400I
Xilinx Inc.
XC3S400-4FT256I
Xilinx Inc.
XC2S15-5VQG100C
Xilinx Inc.
A3PE3000-1FG484I
Microsemi Corporation
M1A3P250-2PQ208
Microsemi Corporation
5SGXEA4K2F40C3N
Intel
5SGXEB6R2F43C2LN
Intel
A54SX32A-1TQG100I
Microsemi Corporation
LFEC33E-5FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-50SE-6FN672C
Lattice Semiconductor Corporation