casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased / DDTA114WCA-7
codice articolo del costruttore | DDTA114WCA-7 |
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Numero di parte futuro | FT-DDTA114WCA-7 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
DDTA114WCA-7 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Discontinued at Future Semiconductor |
Transistor Type | PNP - Pre-Biased |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 10 kOhms |
Resistor - Emitter Base (R2) | 4.7 kOhms |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 24 @ 10mA, 5V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 500nA |
Frequenza - Transizione | 250MHz |
Potenza - Max | 200mW |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-23-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DDTA114WCA-7 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | DDTA114WCA-7-FT |
BCR 133L3 E6327
Infineon Technologies
BCR 135L3 E6327
Infineon Technologies
BCR 139L3 E6327
Infineon Technologies
BCR 141L3 E6327
Infineon Technologies
BCR 142L3 E6327
Infineon Technologies
BCR 146L3 E6327
Infineon Technologies
BCR 148L3 E6327
Infineon Technologies
BCR 149L3 E6327
Infineon Technologies
BCR 151L3 E6327
Infineon Technologies
BCR 153L3 E6327
Infineon Technologies
M2GL050T-1FCSG325
Microsemi Corporation
A54SX32A-1CQ208
Microsemi Corporation
AT40K10-2CQI
Microchip Technology
XC4008E-1PC84C
Xilinx Inc.
XA6SLX9-3CSG225Q
Xilinx Inc.
XC7S25-L1CSGA324I
Xilinx Inc.
AFS1500-2FGG676
Microsemi Corporation
LFE2-20E-6FN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HE-5BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMA5G4F35C4N
Intel