casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased / BCR 153L3 E6327
codice articolo del costruttore | BCR 153L3 E6327 |
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Numero di parte futuro | FT-BCR 153L3 E6327 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BCR 153L3 E6327 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Discontinued at Future Semiconductor |
Transistor Type | PNP - Pre-Biased |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 2.2 kOhms |
Resistor - Emitter Base (R2) | 2.2 kOhms |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 20 @ 20mA, 5V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 1mA, 20mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 100nA (ICBO) |
Frequenza - Transizione | 200MHz |
Potenza - Max | 250mW |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SC-101, SOT-883 |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TSLP-3-4 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BCR 153L3 E6327 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BCR 153L3 E6327-FT |
PDTA113ZMB,315
Nexperia USA Inc.
PDTA114EMB,315
Nexperia USA Inc.
PDTA114TMB,315
Nexperia USA Inc.
PDTA114YMB,315
Nexperia USA Inc.
PDTA115EMB,315
Nexperia USA Inc.
PDTA115TMB,315
Nexperia USA Inc.
PDTA123EMB,315
Nexperia USA Inc.
PDTA123JMB,315
Nexperia USA Inc.
PDTA123TMB,315
Nexperia USA Inc.
PDTA123YMB,315
Nexperia USA Inc.
A1225A-1PQ100I
Microsemi Corporation
XC3SD1800A-5CSG484C
Xilinx Inc.
XC3S1400A-4FG676C
Xilinx Inc.
MPF300TL-FCVG484E
Microsemi Corporation
EPF10K50EFC484-2
Intel
A40MX04-3PL44I
Microsemi Corporation
LFEC1E-3QN208I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-50E-7FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXBB7D4F35C4N
Intel
EP1C20F324C7N
Intel