casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / BYG10GHM3_A/I
codice articolo del costruttore | BYG10GHM3_A/I |
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Numero di parte futuro | FT-BYG10GHM3_A/I |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
BYG10GHM3_A/I Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Avalanche |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 400V |
Corrente: media rettificata (Io) | 1.5A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.15V @ 1.5A |
Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 4µs |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 1µA @ 400V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-214AC, SMA |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-214AC (SMA) |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BYG10GHM3_A/I Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BYG10GHM3_A/I-FT |
SBRA401T3G
ON Semiconductor
CDBU40
Comchip Technology
SBRS5641T3G
ON Semiconductor
NGTD5R65F2SWK
ON Semiconductor
CDBU40-HF
Comchip Technology
CDSU400B-HF
Comchip Technology
APD260VRTR-G1
Diodes Incorporated
CDBMHT1100-HF
Comchip Technology
LL4004G L0
Taiwan Semiconductor Corporation
SDT10A45P5-7
Diodes Incorporated
XC7S100-1FGGA484C
Xilinx Inc.
M1A3P1000-2FG256
Microsemi Corporation
LFE2M70E-6F1152C
Lattice Semiconductor Corporation
AT6003-2AI
Microchip Technology
EP1S20F484I6N
Intel
XC2VP40-6FFG1152C
Xilinx Inc.
AT6003-2JC
Microchip Technology
10AX115S2F45I2LG
Intel
EPF10K100ABC356-3
Intel
EP1C12F324C6
Intel