casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / BYG10GHE3_A/H
codice articolo del costruttore | BYG10GHE3_A/H |
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Numero di parte futuro | FT-BYG10GHE3_A/H |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
BYG10GHE3_A/H Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Avalanche |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 400V |
Corrente: media rettificata (Io) | 1.5A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.15V @ 1.5A |
Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 4µs |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 1µA @ 400V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-214AC, SMA |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-214AC (SMA) |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BYG10GHE3_A/H Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BYG10GHE3_A/H-FT |
NRVTS360ETFSTAG
ON Semiconductor
NSVR351SDSA3T1G
ON Semiconductor
CDBU0340-HF
Comchip Technology
SBRA401T3G
ON Semiconductor
CDBU40
Comchip Technology
SBRS5641T3G
ON Semiconductor
NGTD5R65F2SWK
ON Semiconductor
CDBU40-HF
Comchip Technology
CDSU400B-HF
Comchip Technology
APD260VRTR-G1
Diodes Incorporated
XC3SD3400A-4CS484C
Xilinx Inc.
XC2S50-6FG256C
Xilinx Inc.
M1A3P600-2FG484
Microsemi Corporation
A3P600-1FGG256
Microsemi Corporation
EP4SE360H29I3N
Intel
XC7K410T-3FFG900E
Xilinx Inc.
A42MX16-1TQG176M
Microsemi Corporation
LFE3-70EA-6FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2SGX60DF780C5N
Intel
EP1S40F1020I6N
Intel