casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / BYG10DHE3_A/I
codice articolo del costruttore | BYG10DHE3_A/I |
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Numero di parte futuro | FT-BYG10DHE3_A/I |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
BYG10DHE3_A/I Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Avalanche |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 200V |
Corrente: media rettificata (Io) | 1.5A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.15V @ 1.5A |
Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 4µs |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 1µA @ 200V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-214AC, SMA |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-214AC (SMA) |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BYG10DHE3_A/I Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BYG10DHE3_A/I-FT |
BAV21HWFQ-7
Diodes Incorporated
BAV5005LP-7B
Diodes Incorporated
NGTD9R120F2WP
ON Semiconductor
NRVTS360ETFSTAG
ON Semiconductor
NSVR351SDSA3T1G
ON Semiconductor
CDBU0340-HF
Comchip Technology
SBRA401T3G
ON Semiconductor
CDBU40
Comchip Technology
SBRS5641T3G
ON Semiconductor
NGTD5R65F2SWK
ON Semiconductor
EPF10K50STC144-1
Intel
XC7A75T-1FTG256I
Xilinx Inc.
A54SX16A-1PQ208M
Microsemi Corporation
MPF100TS-1FCVG484I
Microsemi Corporation
A3PN060-Z2VQG100
Microsemi Corporation
AT40K10-2EQI
Microchip Technology
XC7K355T-2FFG901I
Xilinx Inc.
LFE2M70E-6F900C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-12E-6FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1C12F324I7
Intel