casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / IDC51D120T6MX1SA3
codice articolo del costruttore | IDC51D120T6MX1SA3 |
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Numero di parte futuro | FT-IDC51D120T6MX1SA3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
IDC51D120T6MX1SA3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 1200V |
Corrente: media rettificata (Io) | 100A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 2.05V @ 100A |
Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 18µA @ 1200V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | Die |
Pacchetto dispositivo fornitore | Sawn on foil |
Temperatura operativa - Giunzione | -40°C ~ 175°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IDC51D120T6MX1SA3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IDC51D120T6MX1SA3-FT |
1N4007 TR
Central Semiconductor Corp
SURS283T3G-VF01
ON Semiconductor
1N4454 BK
Central Semiconductor Corp
BAV21HWFQ-7
Diodes Incorporated
BAV5005LP-7B
Diodes Incorporated
NGTD9R120F2WP
ON Semiconductor
NRVTS360ETFSTAG
ON Semiconductor
NSVR351SDSA3T1G
ON Semiconductor
CDBU0340-HF
Comchip Technology
SBRA401T3G
ON Semiconductor
A40MX04-VQ80A
Microsemi Corporation
XC2VP30-5FGG676C
Xilinx Inc.
APA750-BG456I
Microsemi Corporation
AFS250-FGG256
Microsemi Corporation
AGLN125V5-VQ100I
Microsemi Corporation
5SGSED8N2F45I3LN
Intel
EP3SE80F1152C3N
Intel
10AX057K3F35E2LG
Intel
EP1S40F780I6
Intel
EP1SGX40GF1020C6
Intel