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Infineon Technologies IDC51D120T6MX1SA3
- Numero parte MFG
- IDC51D120T6MX1SA3
- quantità disponibile
- 11150 pezzi
- Prezzo di riferimento
- USD 6.08
- Il nostro prezzo
- Abbiamo un grande sconto, non esitate a contattarci
- Data di spedizione
- Oggi possiamo spedire
- fabbricante
- Infineon Technologies
- Breve descrizione
- - DIODE GEN PURP 1.2KV 100A WAFER
- Stato senza piombo / Stato RoHS
- Conformità RoHS (senza piombo)
- Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
- 1 (illimitato)
- Codice data (D / C)
- Nuovo
- categoria di prodotto
- Diodi - Raddrizzatori - Singoli
- Risorsa stock
- Distributore in franchising
- Garanzia
- 360 giorni di garanzia di qualità
- scheda dati
- IDC51D120T6MX1SA3.pdf
IDC51D120T6MX1SA3 specificazioni
| codice articolo del costruttore | IDC51D120T6MX1SA3 |
|---|---|
| Numero di parte futuro | FT-IDC51D120T6MX1SA3 |
| SPQ / MOQ | Contattaci |
| Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
| serie | - |
| IDC51D120T6MX1SA3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
| Stato parte | Active |
| Diodo | Standard |
| Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 1200V |
| Corrente: media rettificata (Io) | 100A |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 2.05V @ 100A |
| Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Tempo di recupero inverso (trr) | - |
| Corrente - Perdita inversa @ Vr | 18µA @ 1200V |
| Capacità @ Vr, F | - |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / caso | Die |
| Pacchetto dispositivo fornitore | Sawn on foil |
| Temperatura operativa - Giunzione | -40°C ~ 175°C |
| Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| IDC51D120T6MX1SA3 Peso | Contattaci |
| Numero parte di ricambio | IDC51D120T6MX1SA3-FT |
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