casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFET - Array / CSD87331Q3D
codice articolo del costruttore | CSD87331Q3D |
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Numero di parte futuro | FT-CSD87331Q3D |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | NexFET™ |
CSD87331Q3D Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | 2 N-Channel (Half Bridge) |
Caratteristica FET | Standard |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 15A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | - |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.1V, 1.2V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 3.2nC @ 4.5V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 518pF @ 15V |
Potenza - Max | 6W |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 8-PowerLDFN |
Pacchetto dispositivo fornitore | 8-LSON (5x6) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CSD87331Q3D Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | CSD87331Q3D-FT |
SI7911DN-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI7922DN-T1-E3
Vishay Siliconix
SI7922DN-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI7925DN-T1-E3
Vishay Siliconix
SI7925DN-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIS902DN-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIS903DN-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIS990DN-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIZF906DT-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIZF300DT-T1-GE3
Vishay Siliconix
LFXP2-8E-6TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S1400AN-4FGG676I
Xilinx Inc.
XC2S30-6VQ100C
Xilinx Inc.
LFE2-12E-6Q208I
Lattice Semiconductor Corporation
AX125-FG256
Microsemi Corporation
LCMXO1200E-4FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2S60F672C3
Intel
XC2VP40-6FFG1152C
Xilinx Inc.
LFEC33E-4F672I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-7000ZE-1FG484C
Lattice Semiconductor Corporation