casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFET - Array / CSD86330Q3D
codice articolo del costruttore | CSD86330Q3D |
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Numero di parte futuro | FT-CSD86330Q3D |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | NexFET™ |
CSD86330Q3D Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | 2 N-Channel (Half Bridge) |
Caratteristica FET | Logic Level Gate |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 25V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 20A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9.6 mOhm @ 14A, 8V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.1V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 6.2nC @ 4.5V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 920pF @ 12.5V |
Potenza - Max | 6W |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 8-PowerLDFN |
Pacchetto dispositivo fornitore | 8-LSON (3.3x3.3) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CSD86330Q3D Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | CSD86330Q3D-FT |
SI7904DN-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI7905DN-T1-E3
Vishay Siliconix
SI7905DN-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI7909DN-T1-E3
Vishay Siliconix
SI7909DN-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI7911DN-T1-E3
Vishay Siliconix
SI7911DN-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI7922DN-T1-E3
Vishay Siliconix
SI7922DN-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI7925DN-T1-E3
Vishay Siliconix
A42MX24-PQG208
Microsemi Corporation
A3PE1500-1PQG208I
Microsemi Corporation
LFE5UM5G-45F-8BG381C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C55F484C6
Intel
EP4CE30F23A7N
Intel
5SGXMA9N1F45C2LN
Intel
XC5VSX240T-1FFG1738CES
Xilinx Inc.
M1A3PE1500-FGG676I
Microsemi Corporation
5AGXMB5G4F35I5N
Intel
EP20K60EQC208-2XN
Intel