casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFET - Array / SI7905DN-T1-E3
codice articolo del costruttore | SI7905DN-T1-E3 |
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Numero di parte futuro | FT-SI7905DN-T1-E3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TrenchFET® |
SI7905DN-T1-E3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | 2 P-Channel (Dual) |
Caratteristica FET | Standard |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 40V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 6A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 60 mOhm @ 5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 30nC @ 10V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 880pF @ 20V |
Potenza - Max | 20.8W |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | PowerPAK® 1212-8 Dual |
Pacchetto dispositivo fornitore | PowerPAK® 1212-8 Dual |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SI7905DN-T1-E3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SI7905DN-T1-E3-FT |
SI5509DC-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI5511DC-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI5513CDC-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI5513DC-T1-E3
Vishay Siliconix
SI5513DC-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI5515CDC-T1-E3
Vishay Siliconix
SI5515CDC-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI5515DC-T1-E3
Vishay Siliconix
SI5515DC-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI5902DC-T1-E3
Vishay Siliconix
XC4013XL-1PQ208I
Xilinx Inc.
M2GL025T-1FCSG325I
Microsemi Corporation
M2GL050T-1FCSG325I
Microsemi Corporation
A54SX16-2VQ100
Microsemi Corporation
EP2S15F672C5
Intel
5SGXMB9R3H43I4N
Intel
LFE2-50SE-7F484C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-7000HE-4FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115H3F34E2SG
Intel
10AX057K2F35I2LG
Intel