casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFET - Array / SI7909DN-T1-E3
codice articolo del costruttore | SI7909DN-T1-E3 |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-SI7909DN-T1-E3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TrenchFET® |
SI7909DN-T1-E3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | 2 P-Channel (Dual) |
Caratteristica FET | Logic Level Gate |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 12V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 5.3A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 37 mOhm @ 7.7A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 700µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 24nC @ 4.5V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | - |
Potenza - Max | 1.3W |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | PowerPAK® 1212-8 Dual |
Pacchetto dispositivo fornitore | PowerPAK® 1212-8 Dual |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SI7909DN-T1-E3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SI7909DN-T1-E3-FT |
SI5513CDC-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI5513DC-T1-E3
Vishay Siliconix
SI5513DC-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI5515CDC-T1-E3
Vishay Siliconix
SI5515CDC-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI5515DC-T1-E3
Vishay Siliconix
SI5515DC-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI5902DC-T1-E3
Vishay Siliconix
SI5903DC-T1-E3
Vishay Siliconix
SI5903DC-T1-GE3
Vishay Siliconix
LFXP3C-3TN100C
Lattice Semiconductor Corporation
AFS1500-1FG484K
Microsemi Corporation
LCMXO2280C-5FT256C
Lattice Semiconductor Corporation
AGLN250V2-ZVQ100I
Microsemi Corporation
EP3C16F256C8N
Intel
XC4VLX25-11FFG676C
Xilinx Inc.
A42MX09-1PL84I
Microsemi Corporation
5AGXBB1D4F35I5N
Intel
EP20K400CB652C8
Intel
EP4SGX290FF35C3N
Intel