casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / CSD18563Q5AT
codice articolo del costruttore | CSD18563Q5AT |
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Numero di parte futuro | FT-CSD18563Q5AT |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | NexFET™ |
CSD18563Q5AT Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 100A (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.8 mOhm @ 18A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.4V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 20nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1500pF @ 30V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 3.2W (Ta), 116W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | 8-VSONP (5x6) |
Pacchetto / caso | 8-PowerTDFN |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CSD18563Q5AT Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | CSD18563Q5AT-FT |
CSD22206W
Texas Instruments
CSD25202W15T
Texas Instruments
DMP1012UCB9-7
Diodes Incorporated
CSD25201W15
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CSD25304W1015T
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CSD25211W1015
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XC4005E-2TQ144I
Xilinx Inc.
M1A3P400-2PQ208
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M2GL050-VFG400I
Microsemi Corporation
5SGSMD4K2F40I3LN
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5SGXMABN2F45I3N
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5SGXMB6R2F43C3N
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EP3SE260F1152I4N
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Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-95E-8FN672I
Lattice Semiconductor Corporation