casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / CSD25201W15
codice articolo del costruttore | CSD25201W15 |
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Numero di parte futuro | FT-CSD25201W15 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | NexFET™ |
CSD25201W15 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 4A (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 1.8V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 40 mOhm @ 2A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.1V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 5.6nC @ 4.5V |
Vgs (massimo) | -6V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 510pF @ 10V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 1.5W (Ta) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | 9-DSBGA |
Pacchetto / caso | 9-UFBGA, DSBGA |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CSD25201W15 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | CSD25201W15-FT |
TPH2R506PL,L1Q
Toshiba Semiconductor and Storage
TPH2R608NH,L1Q
Toshiba Semiconductor and Storage
TPH3300CNH,L1Q
Toshiba Semiconductor and Storage
TPH3R704PL,L1Q
Toshiba Semiconductor and Storage
TPH4R50ANH,L1Q
Toshiba Semiconductor and Storage
TPH5200FNH,L1Q
Toshiba Semiconductor and Storage
TPH6R003NL,LQ
Toshiba Semiconductor and Storage
TPH7R006PL,L1Q
Toshiba Semiconductor and Storage
TPH8R008NH,L1Q
Toshiba Semiconductor and Storage
TPH8R903NL,LQ
Toshiba Semiconductor and Storage
XCV1000E-8FG900C
Xilinx Inc.
LCMXO640C-4FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3L-9400C-5BG484I
Lattice Semiconductor Corporation
M1AGL250V2-VQ100
Microsemi Corporation
M1AGL250V5-VQG100
Microsemi Corporation
EP2S60F484C5
Intel
5SGXMA7K3F40C3
Intel
XC4020E-2HQ208I
Xilinx Inc.
5AGXMA7G4F35I5N
Intel
EPF8820QC160-4
Intel