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Texas Instruments CSD25304W1015T

Numero parte MFG
CSD25304W1015T
quantità disponibile
13230 pezzi
Prezzo di riferimento
USD 0.298912
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fabbricante
Texas Instruments
Breve descrizione
NexFET™ MOSFET P-CH 20V 3A 6DSBGA
Stato senza piombo / Stato RoHS
Conformità RoHS (senza piombo)
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (illimitato)
Codice data (D / C)
Nuovo
categoria di prodotto
Transistor - FET, MOSFETs - Single
Risorsa stock
Distributore in franchising
Garanzia
360 giorni di garanzia di qualità
scheda dati
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codice articolo del costruttore CSD25304W1015T
Numero di parte futuro FT-CSD25304W1015T
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Materiale di imballaggio Reel/Tray/Tube/Others
serie NexFET™
CSD25304W1015T Stato (ciclo di vita) Disponibile
Stato parte Active
Tipo FET P-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 3A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 32.5 mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 1.15V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 4.4nC @ 4.5V
Vgs (massimo) ±8V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 595pF @ 10V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 750mW (Ta)
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore 6-DSBGA
Pacchetto / caso 6-UFBGA, DSBGA
Paese d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
CSD25304W1015T Peso Contattaci
Numero parte di ricambio CSD25304W1015T-FT

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