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Texas Instruments CSD25211W1015

Name: CSD25211W1015
Brand: Texas Instruments
SKU: CSD25211W1015
Price: 0.1488 USD
Availability: InStock
Rating: 4.8 (159 reviews)

Numero parte MFG: CSD25211W1015

quantità disponibile: 78730 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 0.1488

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fabbricante: Texas Instruments

Breve descrizione: NexFET™ MOSFET P-CH 20V 3.2A 6DSBGA

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - FET, MOSFETs - Single

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: CSD25211W1015.pdf

CSD25211W1015 specificazioni

codice articolo del costruttore	CSD25211W1015
Numero di parte futuro	FT-CSD25211W1015
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	NexFET™
CSD25211W1015 Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Active
Tipo FET	P-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	3.2A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	33 mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1.1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	4.1nC @ 4.5V
Vgs (massimo)	-6V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	570pF @ 10V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	1W (Ta)
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	6-DSBGA (1x1.5)
Pacchetto / caso	6-UFBGA, DSBGA
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
CSD25211W1015 Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	CSD25211W1015-FT

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