casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / CSD18503KCS
codice articolo del costruttore | CSD18503KCS |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-CSD18503KCS |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | NexFET™ |
CSD18503KCS Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 40V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 100A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.5 mOhm @ 75A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.3V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 36nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 3150pF @ 20V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 188W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220-3 |
Pacchetto / caso | TO-220-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CSD18503KCS Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | CSD18503KCS-FT |
TK12V60W,LVQ
Toshiba Semiconductor and Storage
TK16V60W,LVQ
Toshiba Semiconductor and Storage
TK20V60W,LVQ
Toshiba Semiconductor and Storage
TK20V60W5,LVQ
Toshiba Semiconductor and Storage
TK31V60W,LVQ
Toshiba Semiconductor and Storage
TK31V60X,LQ
Toshiba Semiconductor and Storage
TK50E06K3(S1SS-Q)
Toshiba Semiconductor and Storage
HN4K03JUTE85LF
Toshiba Semiconductor and Storage
SSM5N15FU,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
SSM5N16FUTE85LF
Toshiba Semiconductor and Storage
XCVU080-2FFVD1517E
Xilinx Inc.
AGL030V2-CSG81
Microsemi Corporation
MPF300T-1FCG484I
Microsemi Corporation
5SGXMA5N2F40C2LN
Intel
5SGXMA7N3F45I3LN
Intel
5SGXEB6R3F43C2L
Intel
XC2VP7-7FF672C
Xilinx Inc.
XC7A12T-1CPG238C
Xilinx Inc.
XC7S25-2CSGA324I
Xilinx Inc.
LFE2M50SE-6FN484I
Lattice Semiconductor Corporation