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Toshiba Semiconductor and Storage HN4K03JUTE85LF

Numero parte MFG
HN4K03JUTE85LF
quantità disponibile
65480 pezzi
Prezzo di riferimento
USD 0
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fabbricante
Toshiba Semiconductor and Storage
Breve descrizione
- MOSFET N-CH 20V 0.1A USV
Stato senza piombo / Stato RoHS
Conformità RoHS (senza piombo)
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (illimitato)
Codice data (D / C)
Nuovo
categoria di prodotto
Transistor - FET, MOSFETs - Single
Risorsa stock
Distributore in franchising
Garanzia
360 giorni di garanzia di qualità
scheda dati
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Numero di parte futuro FT-HN4K03JUTE85LF
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Materiale di imballaggio Reel/Tray/Tube/Others
serie -
HN4K03JUTE85LF Stato (ciclo di vita) Disponibile
Stato parte Obsolete
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 100mA (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 2.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 12 Ohm @ 10mA, 2.5V
Vgs (th) (Max) @ Id -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs -
Vgs (massimo) 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 8.5pF @ 3V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 200mW (Ta)
temperatura di esercizio 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore USV
Pacchetto / caso 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Paese d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
HN4K03JUTE85LF Peso Contattaci
Numero parte di ricambio HN4K03JUTE85LF-FT

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