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Texas Instruments CSD13306WT

Numero parte MFG
CSD13306WT
quantità disponibile
80570 pezzi
Prezzo di riferimento
USD 0.28832
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Data di spedizione
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fabbricante
Texas Instruments
Breve descrizione
NexFET™ MOSFET N-CH 12V 6DSBGA
Stato senza piombo / Stato RoHS
Conformità RoHS (senza piombo)
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (illimitato)
Codice data (D / C)
Nuovo
categoria di prodotto
Transistor - FET, MOSFETs - Single
Risorsa stock
Distributore in franchising
Garanzia
360 giorni di garanzia di qualità
scheda dati
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CSD13306WT specificazioni

codice articolo del costruttore CSD13306WT
Numero di parte futuro FT-CSD13306WT
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Materiale di imballaggio Reel/Tray/Tube/Others
serie NexFET™
CSD13306WT Stato (ciclo di vita) Disponibile
Stato parte Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 12V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 3.5A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 10.2 mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 1.3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 11.2nC @ 4.5V
Vgs (massimo) ±10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1370pF @ 6V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 1.9W (Ta)
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore 6-DSBGA (1x1.5)
Pacchetto / caso 6-UFBGA, DSBGA
Paese d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
CSD13306WT Peso Contattaci
Numero parte di ricambio CSD13306WT-FT

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