casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / CSD13306WT
codice articolo del costruttore | CSD13306WT |
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Numero di parte futuro | FT-CSD13306WT |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | NexFET™ |
CSD13306WT Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 12V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 3.5A (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 2.5V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10.2 mOhm @ 1.5A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.3V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 11.2nC @ 4.5V |
Vgs (massimo) | ±10V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1370pF @ 6V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 1.9W (Ta) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | 6-DSBGA (1x1.5) |
Pacchetto / caso | 6-UFBGA, DSBGA |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CSD13306WT Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | CSD13306WT-FT |
TPH7R006PL,L1Q
Toshiba Semiconductor and Storage
TPH8R008NH,L1Q
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TPH8R903NL,LQ
Toshiba Semiconductor and Storage
TPHR8504PL,L1Q
Toshiba Semiconductor and Storage
TPN1110ENH,L1Q
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SSM6K781G,LF
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SSM6J771G,LF
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SSM6H19NU,LF
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TK31V60W5,LVQ
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TK10V60W,LVQ
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