casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - IGBT - Moduli / CM150E3U-12H
codice articolo del costruttore | CM150E3U-12H |
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Numero di parte futuro | FT-CM150E3U-12H |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | IGBTMOD™ |
CM150E3U-12H Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo IGBT | - |
Configurazione | Single |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600V |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 150A |
Potenza - Max | 600W |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 3V @ 15V, 150A |
Corrente - Limite del collettore (max) | 1mA |
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce | 13.2nF @ 10V |
Ingresso | Standard |
Termistore NTC | No |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | Module |
Pacchetto dispositivo fornitore | Module |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CM150E3U-12H Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | CM150E3U-12H-FT |
BSM200GA120DLCSHOSA1
Infineon Technologies
BSM200GA120DN2HOSA1
Infineon Technologies
BSM200GA170DLCHOSA1
Infineon Technologies
BSM200GB120DLCHOSA1
Infineon Technologies
BSM200GB120DN2HOSA1
Infineon Technologies
BSM200GB170DLCHOSA1
Infineon Technologies
BSM200GD60DLCBOSA1
Infineon Technologies
BSM20GP60BOSA1
Infineon Technologies
BSM25GD120DN2BOSA1
Infineon Technologies
BSM25GD120DN2E3224BOSA1
Infineon Technologies
A3P030-QNG68
Microsemi Corporation
A54SX16P-TQ144
Microsemi Corporation
XC3S500E-4FG320I
Xilinx Inc.
XC2V80-4FGG256C
Xilinx Inc.
XC3090-100PQ208C
Xilinx Inc.
A3P1000-2FG484
Microsemi Corporation
M1A3P600-1FG256
Microsemi Corporation
M7A3P1000-PQG208
Microsemi Corporation
5SEE9F45I3N
Intel
LAE3-35EA-6LFN672E
Lattice Semiconductor Corporation