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codice articolo del costruttore | BSM200GA120DLCSHOSA1 |
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Numero di parte futuro | FT-BSM200GA120DLCSHOSA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BSM200GA120DLCSHOSA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Not For New Designs |
Tipo IGBT | - |
Configurazione | Single |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200V |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 370A |
Potenza - Max | 1450W |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.6V @ 15V, 200A |
Corrente - Limite del collettore (max) | 5mA |
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce | 13nF @ 25V |
Ingresso | Standard |
Termistore NTC | No |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 125°C |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | Module |
Pacchetto dispositivo fornitore | Module |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BSM200GA120DLCSHOSA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BSM200GA120DLCSHOSA1-FT |
APTGT25DA120D1G
Microsemi Corporation
APTGT25H120T1G
Microsemi Corporation
APTGT25SK120D1G
Microsemi Corporation
APTGT300DA120D3G
Microsemi Corporation
APTGT300SK120D3G
Microsemi Corporation
APTGT300SK170D3G
Microsemi Corporation
APTGT30A170D1G
Microsemi Corporation
APTGT30A60T1G
Microsemi Corporation
APTGT30DA170D1G
Microsemi Corporation
APTGT30DA170T1G
Microsemi Corporation
XC3S1000-4FT256C
Xilinx Inc.
XC6SLX100T-N3FGG676C
Xilinx Inc.
AGLE600V2-FG256I
Microsemi Corporation
LCMXO3LF-2100E-5UWG49ITR
Lattice Semiconductor Corporation
EP2C50F484C7N
Intel
EP1K30FC256-3AA
Intel
5SGSMD4K2F40C3N
Intel
5SGXMA3K3F35C2N
Intel
EP3SL200F1152C3N
Intel
10M08SAM153I7G
Intel