casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - IGBT - Moduli / BSM200GB120DLCHOSA1
codice articolo del costruttore | BSM200GB120DLCHOSA1 |
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Numero di parte futuro | FT-BSM200GB120DLCHOSA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BSM200GB120DLCHOSA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Not For New Designs |
Tipo IGBT | - |
Configurazione | Half Bridge |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200V |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 420A |
Potenza - Max | 1550W |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.6V @ 15V, 200A |
Corrente - Limite del collettore (max) | 5mA |
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce | 13nF @ 25V |
Ingresso | Standard |
Termistore NTC | No |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 125°C |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | Module |
Pacchetto dispositivo fornitore | Module |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BSM200GB120DLCHOSA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BSM200GB120DLCHOSA1-FT |
APTGT300DA120D3G
Microsemi Corporation
APTGT300SK120D3G
Microsemi Corporation
APTGT300SK170D3G
Microsemi Corporation
APTGT30A170D1G
Microsemi Corporation
APTGT30A60T1G
Microsemi Corporation
APTGT30DA170D1G
Microsemi Corporation
APTGT30DA170T1G
Microsemi Corporation
APTGT30DDA60T3G
Microsemi Corporation
APTGT30DSK60T3G
Microsemi Corporation
APTGT30H60T3G
Microsemi Corporation
M2GL010T-1VFG256I
Microsemi Corporation
EP1S25B672C6N
Intel
5SGSMD5K2F40C2L
Intel
5SGXMA7N2F45I2LN
Intel
EP4CGX15BF14A7N
Intel
XC5VLX155-3FFG1153C
Xilinx Inc.
LFE2M50E-6F484I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-50E-6FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
5CGTFD9A5U19C7N
Intel
EPF10K50VBC356-3
Intel