casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - IGBT - Moduli / BSM25GD120DN2E3224BOSA1
codice articolo del costruttore | BSM25GD120DN2E3224BOSA1 |
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Numero di parte futuro | FT-BSM25GD120DN2E3224BOSA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BSM25GD120DN2E3224BOSA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Not For New Designs |
Tipo IGBT | - |
Configurazione | Three Phase Inverter |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200V |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 35A |
Potenza - Max | 200W |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 3V @ 15V, 25A |
Corrente - Limite del collettore (max) | 800µA |
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce | 1.65nF @ 25V |
Ingresso | Standard |
Termistore NTC | No |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | Module |
Pacchetto dispositivo fornitore | Module |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BSM25GD120DN2E3224BOSA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BSM25GD120DN2E3224BOSA1-FT |
APTGT30DA170T1G
Microsemi Corporation
APTGT30DDA60T3G
Microsemi Corporation
APTGT30DSK60T3G
Microsemi Corporation
APTGT30H60T3G
Microsemi Corporation
APTGT30SK170D1G
Microsemi Corporation
APTGT30SK170T1G
Microsemi Corporation
APTGT30TL60T3G
Microsemi Corporation
APTGT35A120D1G
Microsemi Corporation
APTGT35DA120D1G
Microsemi Corporation
APTGT35H120T1G
Microsemi Corporation
M1AGL1000V2-FG484I
Microsemi Corporation
ICE5LP4K-SWG36ITR
Lattice Semiconductor Corporation
ICE65L04F-LVQ100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CGX110CF23C8N
Intel
XC5VLX155T-2FFG1136C
Xilinx Inc.
XC3020A-7PC84C
Xilinx Inc.
XCKU040-3SFVA784E
Xilinx Inc.
LFEC6E-3Q208I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO1200C-4MN132C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1K100QC208-3
Intel