casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - IGBT - Moduli / CM1000DXL-24S
codice articolo del costruttore | CM1000DXL-24S |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-CM1000DXL-24S |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | IGBTMOD™ |
CM1000DXL-24S Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Discontinued at Future Semiconductor |
Tipo IGBT | - |
Configurazione | Half Bridge |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200V |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 1000A |
Potenza - Max | 7500W |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.3V @ 15V, 1000A |
Corrente - Limite del collettore (max) | 1mA |
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce | 100nF @ 10V |
Ingresso | Standard |
Termistore NTC | Yes |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | - |
Pacchetto / caso | Module |
Pacchetto dispositivo fornitore | Module |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CM1000DXL-24S Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | CM1000DXL-24S-FT |
APTGT75SK120D1G
Microsemi Corporation
APTGT75SK120T1G
Microsemi Corporation
APTGT75SK170D1G
Microsemi Corporation
APTGT75SK60T1G
Microsemi Corporation
APTGT75TA60PG
Microsemi Corporation
APTGV100H60BTPG
Microsemi Corporation
APTGV100H60T3G
Microsemi Corporation
APTGV15H120T3G
Microsemi Corporation
APTGV25H120BG
Microsemi Corporation
APTGV25H120T3G
Microsemi Corporation