casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - IGBT - Moduli / APTGV25H120BG
codice articolo del costruttore | APTGV25H120BG |
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Numero di parte futuro | FT-APTGV25H120BG |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
APTGV25H120BG Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo IGBT | NPT, Trench Field Stop |
Configurazione | Boost Chopper, Full Bridge |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200V |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 40A |
Potenza - Max | 156W |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 25A |
Corrente - Limite del collettore (max) | 250µA |
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce | 1.8nF @ 25V |
Ingresso | Standard |
Termistore NTC | No |
temperatura di esercizio | - |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | SP4 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SP4 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
APTGV25H120BG Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | APTGV25H120BG-FT |
APTGT100SK120D1G
Microsemi Corporation
APTGT100SK120TG
Microsemi Corporation
APTGT100SK170D1G
Microsemi Corporation
APTGT100SK60T1G
Microsemi Corporation
APTGT100SK60TG
Microsemi Corporation
APTGT100TA60PG
Microsemi Corporation
APTGT150A1202G
Microsemi Corporation
APTGT150A120D1G
Microsemi Corporation
APTGT150A170D1G
Microsemi Corporation
APTGT150A170G
Microsemi Corporation
XC4006E-2TQ144C
Xilinx Inc.
A3P1000L-FGG484I
Microsemi Corporation
A54SX32A-2PQG208
Microsemi Corporation
M1AGL250V5-VQG100
Microsemi Corporation
5SGXEA5N1F40C2N
Intel
10AX022E3F29I2SG
Intel
A54SX32A-2TQ100I
Microsemi Corporation
LCMXO640C-3M100I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX048E1F29I1HG
Intel
EP1SGX25FF1020C5
Intel