casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - IGBT - Moduli / APTGT75SK170D1G
codice articolo del costruttore | APTGT75SK170D1G |
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Numero di parte futuro | FT-APTGT75SK170D1G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
APTGT75SK170D1G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo IGBT | Trench Field Stop |
Configurazione | Single |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1700V |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 120A |
Potenza - Max | 520W |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.4V @ 15V, 75A |
Corrente - Limite del collettore (max) | 5mA |
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce | 6.5nF @ 25V |
Ingresso | Standard |
Termistore NTC | No |
temperatura di esercizio | - |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | D1 |
Pacchetto dispositivo fornitore | D1 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
APTGT75SK170D1G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | APTGT75SK170D1G-FT |
APTGT100DA170TG
Microsemi Corporation
APTGT100DA60TG
Microsemi Corporation
APTGT100DDA60T3G
Microsemi Corporation
APTGT100DH170G
Microsemi Corporation
APTGT100DH60T3G
Microsemi Corporation
APTGT100DSK60T3G
Microsemi Corporation
APTGT100SK120D1G
Microsemi Corporation
APTGT100SK120TG
Microsemi Corporation
APTGT100SK170D1G
Microsemi Corporation
APTGT100SK60T1G
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