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codice articolo del costruttore | CIH03Q3N3CNC |
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Numero di parte futuro | FT-CIH03Q3N3CNC |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | CIH03Q |
CIH03Q3N3CNC Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Multilayer |
Materiale: core | - |
Induttanza | 3.3nH |
Tolleranza | ±0.2nH |
Valutazione attuale | 270mA |
Corrente - Saturazione | - |
Schermatura | Unshielded |
Resistenza DC (DCR) | 300 mOhm Max |
Q @ Freq | 13 @ 500MHz |
Frequenza - Autorisonante | 8.1GHz |
Giudizi | - |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 125°C |
Frequenza di induttanza - Test | 500MHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 0201 (0603 Metric) |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Dimensione / Dimensione | 0.024" L x 0.012" W (0.60mm x 0.30mm) |
Altezza - Seduto (max) | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CIH03Q3N3CNC Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | CIH03Q3N3CNC-FT |
CIG21C2R2MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIG21C4R7MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIG21L1R0MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIG21L3R3MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIG21W1R0MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIG21W3R3MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIGT201206EH1R0MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIGT201206UM1R0MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIGT201208EH1R0MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIGT201208EM1R0MNE
Samsung Electro-Mechanics
AGLN020V2-QNG68I
Microsemi Corporation
EPF10K30ETC144-1N
Intel
XC6SLX45-2FGG484C
Xilinx Inc.
LCMXO2-1200ZE-3SG32I
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEA5H3F35I3LN
Intel
XC7A50T-1CPG236C
Xilinx Inc.
A42MX09-1PLG84
Microsemi Corporation
LFE3-70EA-6LFN672I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066K2F35I2SG
Intel
EP2AGX95EF35I5ES
Intel