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codice articolo del costruttore | CIG21C4R7MNE |
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Numero di parte futuro | FT-CIG21C4R7MNE |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | CIG21C |
CIG21C4R7MNE Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Multilayer |
Materiale: core | - |
Induttanza | 4.7µH |
Tolleranza | ±20% |
Valutazione attuale | 580mA |
Corrente - Saturazione | - |
Schermatura | Shielded |
Resistenza DC (DCR) | 433 mOhm |
Q @ Freq | - |
Frequenza - Autorisonante | - |
Giudizi | - |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 125°C |
Frequenza di induttanza - Test | 1MHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 0805 (2012 Metric) |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Dimensione / Dimensione | 0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm) |
Altezza - Seduto (max) | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CIG21C4R7MNE Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | CIG21C4R7MNE-FT |
CIGT252012LM1R0MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIGW252010EH4R7MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIGW252010EH4R7SNE
Samsung Electro-Mechanics
CIGW252010GL1R0MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIGW252010GL1R5MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIGW252010GL4R7MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIGW252010GLR47MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIGW252010GM1R0MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIGW252010GM1R0SNE
Samsung Electro-Mechanics
CIGW252010GM2R2MSE
Samsung Electro-Mechanics
LCMXO2-1200ZE-3TG144I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HE-6TG144I
Lattice Semiconductor Corporation
MPF300TL-FCG484E
Microsemi Corporation
MPF300TS-FCG484I
Microsemi Corporation
EP2C50F484C8N
Intel
XC2V2000-5BG575I
Xilinx Inc.
AGL600V5-CSG281
Microsemi Corporation
AGL400V2-FGG144I
Microsemi Corporation
10AX090N3F40E2LG
Intel
EP20K400EBC652-1XD
Intel