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codice articolo del costruttore | CIG21W1R0MNE |
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Numero di parte futuro | FT-CIG21W1R0MNE |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | CIG21W |
CIG21W1R0MNE Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Multilayer |
Materiale: core | - |
Induttanza | 1µH |
Tolleranza | ±25% |
Valutazione attuale | 1.05A |
Corrente - Saturazione | - |
Schermatura | Shielded |
Resistenza DC (DCR) | 133 mOhm |
Q @ Freq | - |
Frequenza - Autorisonante | - |
Giudizi | - |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 125°C |
Frequenza di induttanza - Test | 1MHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 0805 (2012 Metric) |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Dimensione / Dimensione | 0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm) |
Altezza - Seduto (max) | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CIG21W1R0MNE Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | CIG21W1R0MNE-FT |
CIGW252010GL1R0MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIGW252010GL1R5MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIGW252010GL4R7MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIGW252010GLR47MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIGW252010GM1R0MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIGW252010GM1R0SNE
Samsung Electro-Mechanics
CIGW252010GM2R2MSE
Samsung Electro-Mechanics
CIGW252010GM4R7MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIGW252012GL4R7MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIGW252012GM1R0MNE
Samsung Electro-Mechanics
XC6SLX100-N3FG676I
Xilinx Inc.
5SGXEA5N3F40I4N
Intel
XC5VLX85T-1FFG1136I
Xilinx Inc.
XC4VFX20-10FFG672I
Xilinx Inc.
LFE3-70EA-7FN1156C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-95EA-8LFN672I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXFB5H4F35I3N
Intel
EP4CE75F29I7N
Intel
EP20K100EQC208-1X
Intel
EPF10K30EQC208-2X
Intel