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codice articolo del costruttore | CIGT201206UM1R0MNE |
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Numero di parte futuro | FT-CIGT201206UM1R0MNE |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | CIGT |
CIGT201206UM1R0MNE Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Thin Film |
Materiale: core | Metal Composite |
Induttanza | 1µH |
Tolleranza | ±20% |
Valutazione attuale | 1.5A |
Corrente - Saturazione | 2.2A |
Schermatura | Shielded |
Resistenza DC (DCR) | 184 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Frequenza - Autorisonante | - |
Giudizi | - |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 125°C |
Frequenza di induttanza - Test | 1MHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 0805 (2012 Metric) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 0805 (2012 Metric) |
Dimensione / Dimensione | 0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.024" (0.60mm) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CIGT201206UM1R0MNE Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | CIGT201206UM1R0MNE-FT |
CIGW252010GLR47MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIGW252010GM1R0MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIGW252010GM1R0SNE
Samsung Electro-Mechanics
CIGW252010GM2R2MSE
Samsung Electro-Mechanics
CIGW252010GM4R7MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIGW252012GL4R7MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIGW252012GM1R0MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIGW252012GM1R0SLE
Samsung Electro-Mechanics
CIGW252012GM2R2MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIGW252012GM6R8MNE
Samsung Electro-Mechanics
XCS20XL-4TQG144C
Xilinx Inc.
LCMXO2-2000ZE-3TG100I
Lattice Semiconductor Corporation
LFEC1E-4TN100I
Lattice Semiconductor Corporation
A40MX02-1PLG68M
Microsemi Corporation
A42MX16-2VQ100I
Microsemi Corporation
XC4020XL-2HT176C
Xilinx Inc.
10CL006YU256I7G
Intel
EP4CGX15BF14C7
Intel
M1AFS1500-2FGG676I
Microsemi Corporation
EP20K100EQC240-1
Intel