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codice articolo del costruttore | CIG32H2R2MNE |
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Numero di parte futuro | FT-CIG32H2R2MNE |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | CIG32H |
CIG32H2R2MNE Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Multilayer |
Materiale: core | - |
Induttanza | 2.2µH |
Tolleranza | ±20% |
Valutazione attuale | 1.6A |
Corrente - Saturazione | 2.9A |
Schermatura | Shielded |
Resistenza DC (DCR) | 125 mOhm |
Q @ Freq | - |
Frequenza - Autorisonante | - |
Giudizi | - |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 125°C |
Frequenza di induttanza - Test | 1MHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 1210 (3225 Metric) |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Dimensione / Dimensione | 0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.50mm) |
Altezza - Seduto (max) | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CIG32H2R2MNE Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | CIG32H2R2MNE-FT |
CIH10TR10JND
Samsung Electro-Mechanics
CIH10TR12JNC
Samsung Electro-Mechanics
CIH10TR18JNC
Samsung Electro-Mechanics
CIH10TR22JNC
Samsung Electro-Mechanics
CIH10TR27JNC
Samsung Electro-Mechanics
CIH10T1N2SNC
Samsung Electro-Mechanics
CIH05T12NJNC
Samsung Electro-Mechanics
CIH05T18NJNC
Samsung Electro-Mechanics
CIH05T2N2SNC
Samsung Electro-Mechanics
CIH05T10NJNC
Samsung Electro-Mechanics
M1AFS600-FG484K
Microsemi Corporation
LCMXO2-1200ZE-3SG32I
Lattice Semiconductor Corporation
XC4010E-1HQ208C
Xilinx Inc.
XC6SLX16-L1CSG225C
Xilinx Inc.
XC6SLX9-L1CSG324I
Xilinx Inc.
A42MX16-1TQG176M
Microsemi Corporation
LFE3-70E-8FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX45DF29I5
Intel
EP4SGX230DF29I4
Intel
EP20K100EQI240-2X
Intel