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codice articolo del costruttore | CIGT252010EH2R2MNE |
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Numero di parte futuro | FT-CIGT252010EH2R2MNE |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | CIGT |
CIGT252010EH2R2MNE Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Thin Film |
Materiale: core | Metal Composite |
Induttanza | 2.2µH |
Tolleranza | ±20% |
Valutazione attuale | 2.4A |
Corrente - Saturazione | 2.7A |
Schermatura | Unshielded |
Resistenza DC (DCR) | 80 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Frequenza - Autorisonante | - |
Giudizi | - |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 125°C |
Frequenza di induttanza - Test | 1MHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 1008 (2520 Metric) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 1008 (2520 Metric) |
Dimensione / Dimensione | 0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.039" (1.00mm) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CIGT252010EH2R2MNE Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | CIGT252010EH2R2MNE-FT |
CIH05T12NJNC
Samsung Electro-Mechanics
CIH05T18NJNC
Samsung Electro-Mechanics
CIH05T2N2SNC
Samsung Electro-Mechanics
CIH05T10NJNC
Samsung Electro-Mechanics
CIH05T15NJNC
Samsung Electro-Mechanics
CIH05T27NJNC
Samsung Electro-Mechanics
CIH05T33NJNC
Samsung Electro-Mechanics
CIH05T1N2SNC
Samsung Electro-Mechanics
CIH05T1N5SNC
Samsung Electro-Mechanics
CIH05T39NJNC
Samsung Electro-Mechanics
XC3S500E-4VQG100I
Xilinx Inc.
A54SX32A-2TQG176I
Microsemi Corporation
M2GL025T-1FGG484
Microsemi Corporation
10AX032E3F29I2SG
Intel
EP4CGX22BF14C8N
Intel
EP4SE530H40I3N
Intel
5SGXEA4H2F35I2N
Intel
A40MX02-1PQ100M
Microsemi Corporation
LFEC10E-4F256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2SGX130GF40C4NES
Intel