casa / prodotti / Induttori, bobine, bobine / Induttori fissi / CIG22H4R7MNE
codice articolo del costruttore | CIG22H4R7MNE |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-CIG22H4R7MNE |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | CIG22H |
CIG22H4R7MNE Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Multilayer |
Materiale: core | - |
Induttanza | 4.7µH |
Tolleranza | ±20% |
Valutazione attuale | 800mA |
Corrente - Saturazione | 950mA |
Schermatura | Shielded |
Resistenza DC (DCR) | 233 mOhm |
Q @ Freq | - |
Frequenza - Autorisonante | - |
Giudizi | - |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 125°C |
Frequenza di induttanza - Test | 1MHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 1008 (2520 Metric) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 1008 (2520 Metric) |
Dimensione / Dimensione | 0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.039" (1.00mm) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CIG22H4R7MNE Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | CIG22H4R7MNE-FT |
CIH05T18NJNC
Samsung Electro-Mechanics
CIH05T2N2SNC
Samsung Electro-Mechanics
CIH05T10NJNC
Samsung Electro-Mechanics
CIH05T15NJNC
Samsung Electro-Mechanics
CIH05T27NJNC
Samsung Electro-Mechanics
CIH05T33NJNC
Samsung Electro-Mechanics
CIH05T1N2SNC
Samsung Electro-Mechanics
CIH05T1N5SNC
Samsung Electro-Mechanics
CIH05T39NJNC
Samsung Electro-Mechanics
CIH05T4N7SNC
Samsung Electro-Mechanics
M1AFS600-FG484K
Microsemi Corporation
LCMXO2-1200ZE-3SG32I
Lattice Semiconductor Corporation
XC4010E-1HQ208C
Xilinx Inc.
XC6SLX16-L1CSG225C
Xilinx Inc.
XC6SLX9-L1CSG324I
Xilinx Inc.
A42MX16-1TQG176M
Microsemi Corporation
LFE3-70E-8FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX45DF29I5
Intel
EP4SGX230DF29I4
Intel
EP20K100EQI240-2X
Intel