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codice articolo del costruttore | CIGT201208EH2R2MNE |
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Numero di parte futuro | FT-CIGT201208EH2R2MNE |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | CIGT |
CIGT201208EH2R2MNE Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Thin Film |
Materiale: core | Metal Composite |
Induttanza | 2.2µH |
Tolleranza | ±20% |
Valutazione attuale | - |
Corrente - Saturazione | - |
Schermatura | Shielded |
Resistenza DC (DCR) | - |
Q @ Freq | - |
Frequenza - Autorisonante | - |
Giudizi | - |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 125°C |
Frequenza di induttanza - Test | 1MHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 0805 (2012 Metric) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 0805 (2012 Metric) |
Dimensione / Dimensione | 0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm) |
Altezza - Seduto (max) | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CIGT201208EH2R2MNE Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | CIGT201208EH2R2MNE-FT |
CIGT201610EHR47MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIGT201610LH1R0MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIGT201610EH1R0MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIGT201610EH2R2MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIGT201610LHR47MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIGT201608EHR47MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIGT201610LHR24MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIGT201610LM1R0MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIGT201610LM2R2MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIGT201610LMR47MNE
Samsung Electro-Mechanics
XC3S700A-4FG400C
Xilinx Inc.
M7A3P1000-2PQ208I
Microsemi Corporation
A42MX36-1CQ256B
Microsemi Corporation
5CEBA9F27C7N
Intel
5SGXEB6R3F40C2N
Intel
10AX048E4F29E3LG
Intel
LFXP2-5E-6FT256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M50SE-5F484C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115H4F34I3SGES
Intel
EP1S80F1508C7N
Intel