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codice articolo del costruttore | CIGW252010GM1R0SNE |
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Numero di parte futuro | FT-CIGW252010GM1R0SNE |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | CIGW |
CIGW252010GM1R0SNE Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Wirewound |
Materiale: core | Metal Composite |
Induttanza | 1µH |
Tolleranza | ±0.3nH |
Valutazione attuale | - |
Corrente - Saturazione | - |
Schermatura | Shielded |
Resistenza DC (DCR) | - |
Q @ Freq | - |
Frequenza - Autorisonante | - |
Giudizi | - |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 125°C |
Frequenza di induttanza - Test | 1MHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 1008 (2520 Metric) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 1008 (2520 Metric) |
Dimensione / Dimensione | 0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm) |
Altezza - Seduto (max) | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CIGW252010GM1R0SNE Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | CIGW252010GM1R0SNE-FT |
CIH05T1N0SNC
Samsung Electro-Mechanics
CIH05T1N2CNC
Samsung Electro-Mechanics
CIH05T1N5CNC
Samsung Electro-Mechanics
CIH05T1N8CNC
Samsung Electro-Mechanics
CIH05T1N8SNC
Samsung Electro-Mechanics
CIH05T2N0CNC
Samsung Electro-Mechanics
CIH05T2N0SNC
Samsung Electro-Mechanics
CIH05T2N2CNC
Samsung Electro-Mechanics
CIH05T2N4CNC
Samsung Electro-Mechanics
CIH05T2N4SNC
Samsung Electro-Mechanics
LCMXO2-2000ZE-3TG100I
Lattice Semiconductor Corporation
XCVU080-H1FFVC1517E
Xilinx Inc.
M2GL090T-1FCSG325I
Microsemi Corporation
AGLN020V2-UCG81
Microsemi Corporation
A54SX32A-PQG208
Microsemi Corporation
EP1K100EFI484-2
Intel
5SGXEABK1H40C2N
Intel
LFE2M35E-5F672C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HC-5MG132C
Lattice Semiconductor Corporation
5CEBA4U19C8N
Intel