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codice articolo del costruttore | CIGW252012GM1R0MNE |
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Numero di parte futuro | FT-CIGW252012GM1R0MNE |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | CIGW |
CIGW252012GM1R0MNE Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Wirewound |
Materiale: core | Metal Composite |
Induttanza | 1µH |
Tolleranza | ±20% |
Valutazione attuale | - |
Corrente - Saturazione | - |
Schermatura | Shielded |
Resistenza DC (DCR) | - |
Q @ Freq | - |
Frequenza - Autorisonante | - |
Giudizi | - |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 125°C |
Frequenza di induttanza - Test | 1MHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 1008 (2520 Metric) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 1008 (2520 Metric) |
Dimensione / Dimensione | 0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm) |
Altezza - Seduto (max) | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CIGW252012GM1R0MNE Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | CIGW252012GM1R0MNE-FT |
CIH05T1N8SNC
Samsung Electro-Mechanics
CIH05T2N0CNC
Samsung Electro-Mechanics
CIH05T2N0SNC
Samsung Electro-Mechanics
CIH05T2N2CNC
Samsung Electro-Mechanics
CIH05T2N4CNC
Samsung Electro-Mechanics
CIH05T2N4SNC
Samsung Electro-Mechanics
CIH05T2N7CNC
Samsung Electro-Mechanics
CIH05T3N0CNC
Samsung Electro-Mechanics
CIH05T3N3CNC
Samsung Electro-Mechanics
CIH05T3N6CNC
Samsung Electro-Mechanics
XC2S15-6TQ144C
Xilinx Inc.
XC6SLX150-2CSG484I
Xilinx Inc.
A54SX32A-1FG256M
Microsemi Corporation
5SGXMA7N2F40C2
Intel
5SGSMD4E1H29C2LN
Intel
5SGSED6N3F45C2L
Intel
A1020B-PL44I
Microsemi Corporation
XC5VLX85-3FFG676C
Xilinx Inc.
XC7A100T-1CSG324I
Xilinx Inc.
LFE3-35EA-6FN484C
Lattice Semiconductor Corporation