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codice articolo del costruttore | CIGW252010GL4R7MNE |
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Numero di parte futuro | FT-CIGW252010GL4R7MNE |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | CIGW |
CIGW252010GL4R7MNE Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Wirewound |
Materiale: core | Metal Composite |
Induttanza | 4.7µH |
Tolleranza | ±20% |
Valutazione attuale | 1.4A |
Corrente - Saturazione | 1.7A |
Schermatura | Unshielded |
Resistenza DC (DCR) | 216 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Frequenza - Autorisonante | - |
Giudizi | - |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 125°C |
Frequenza di induttanza - Test | 1MHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 1008 (2520 Metric) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 1008 (2520 Metric) |
Dimensione / Dimensione | 0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.039" (1.00mm) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CIGW252010GL4R7MNE Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | CIGW252010GL4R7MNE-FT |
CIH05QR22JNC
Samsung Electro-Mechanics
CIH05QR27JNC
Samsung Electro-Mechanics
CIH05T1N0CNC
Samsung Electro-Mechanics
CIH05T1N0SNC
Samsung Electro-Mechanics
CIH05T1N2CNC
Samsung Electro-Mechanics
CIH05T1N5CNC
Samsung Electro-Mechanics
CIH05T1N8CNC
Samsung Electro-Mechanics
CIH05T1N8SNC
Samsung Electro-Mechanics
CIH05T2N0CNC
Samsung Electro-Mechanics
CIH05T2N0SNC
Samsung Electro-Mechanics
AT6010A-2AU
Microchip Technology
LCMXO256C-4T100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S200A-4FG320I
Xilinx Inc.
XC3S400AN-5FTG256C
Xilinx Inc.
LFE2-12E-6QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C80F484I7
Intel
10CX150YU484E5G
Intel
5SGSED8N3F45I3LN
Intel
XC4VFX40-11FFG1152C
Xilinx Inc.
LFXP2-5E-5FT256C
Lattice Semiconductor Corporation