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codice articolo del costruttore | CIGT252012LM1R0MNE |
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Numero di parte futuro | FT-CIGT252012LM1R0MNE |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | CIGT |
CIGT252012LM1R0MNE Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Thin Film |
Materiale: core | Metal Composite |
Induttanza | 1µH |
Tolleranza | ±20% |
Valutazione attuale | 3.4A |
Corrente - Saturazione | 4.5A |
Schermatura | Unshielded |
Resistenza DC (DCR) | 40 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Frequenza - Autorisonante | - |
Giudizi | - |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 125°C |
Frequenza di induttanza - Test | 1MHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 1008 (2520 Metric) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 1008 (2520 Metric) |
Dimensione / Dimensione | 0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.047" (1.20mm) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CIGT252012LM1R0MNE Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | CIGT252012LM1R0MNE-FT |
CIH05Q9N1JNC
Samsung Electro-Mechanics
CIH05QR10JNC
Samsung Electro-Mechanics
CIH05QR12JNC
Samsung Electro-Mechanics
CIH05QR15JNC
Samsung Electro-Mechanics
CIH05QR18JNC
Samsung Electro-Mechanics
CIH05QR22JNC
Samsung Electro-Mechanics
CIH05QR27JNC
Samsung Electro-Mechanics
CIH05T1N0CNC
Samsung Electro-Mechanics
CIH05T1N0SNC
Samsung Electro-Mechanics
CIH05T1N2CNC
Samsung Electro-Mechanics
M1AFS600-FG484K
Microsemi Corporation
LCMXO2-1200ZE-3SG32I
Lattice Semiconductor Corporation
XC4010E-1HQ208C
Xilinx Inc.
XC6SLX16-L1CSG225C
Xilinx Inc.
XC6SLX9-L1CSG324I
Xilinx Inc.
A42MX16-1TQG176M
Microsemi Corporation
LFE3-70E-8FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX45DF29I5
Intel
EP4SGX230DF29I4
Intel
EP20K100EQI240-2X
Intel