casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / CD214A-FS150
codice articolo del costruttore | CD214A-FS150 |
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Numero di parte futuro | FT-CD214A-FS150 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
CD214A-FS150 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 50V |
Corrente: media rettificata (Io) | 1A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 950mV @ 1A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 25ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 50V |
Capacità @ Vr, F | 10pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-214AC, SMA |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-214AC (SMA) |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CD214A-FS150 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | CD214A-FS150-FT |
BAS21J/ZLX
Nexperia USA Inc.
BAS316,H3F
Toshiba Semiconductor and Storage
BAS316/DG/B3,115
Nexperia USA Inc.
BAS316/DG/B3,135
Nexperia USA Inc.
BAS40-13-F
Diodes Incorporated
BAS40-7-F-31
Diodes Incorporated
BAS40/DG/B2,215
Nexperia USA Inc.
BAS40/ZLR
Nexperia USA Inc.
BAS516,H3F
Toshiba Semiconductor and Storage
BAS516,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
A54SX16A-1TQ144I
Microsemi Corporation
XC7A75T-3FGG484E
Xilinx Inc.
M1A3P1000L-1FGG484I
Microsemi Corporation
APA1000-CQ352M
Microsemi Corporation
EP2C8F256C8N
Intel
5SGXEBBR1H43C2L
Intel
XC2V2000-4FFG896C
Xilinx Inc.
LCMXO256E-4M100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S10F780C6
Intel
EP4SGX110HF35I3
Intel