casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / BAS316/DG/B3,135
codice articolo del costruttore | BAS316/DG/B3,135 |
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Numero di parte futuro | FT-BAS316/DG/B3,135 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101, BAS16 |
BAS316/DG/B3,135 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 100V |
Corrente: media rettificata (Io) | 250mA (DC) |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.25V @ 150mA |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 4ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 500nA @ 80V |
Capacità @ Vr, F | 1.5pF @ 0V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-236AB |
Temperatura operativa - Giunzione | 150°C (Max) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BAS316/DG/B3,135 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BAS316/DG/B3,135-FT |
301U140G R BL
Vishay Semiconductor Opto Division
301UR100G BK G
Vishay Semiconductor Opto Division
301UR140G BK BL
Vishay Semiconductor Opto Division
38DN68S02ELEMXPSA1
Infineon Technologies
56DN06ELEMEVMITPRXPSA1
Infineon Technologies
56DN06ELEMPRXPSA1
Infineon Technologies
56DN06ELEMXPSA1
Infineon Technologies
5817SMG/TR13
Microsemi Corporation
5817SMGE3/TR13
Microsemi Corporation
5818SMG/TR13
Microsemi Corporation
XCS20XL-4TQG144I
Xilinx Inc.
XC7S50-1FGGA484I
Xilinx Inc.
A54SX08A-1FG144
Microsemi Corporation
AGLE600V5-FG256
Microsemi Corporation
ICE40HX4K-BG121
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K1000EFC672-1
Intel
EP3C25U256C7
Intel
5SGSMD5H2F35I2LN
Intel
A1020B-PL44C
Microsemi Corporation
LFE2M35E-6F256C
Lattice Semiconductor Corporation