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Toshiba Semiconductor and Storage BAS316,H3F

Name: BAS316,H3F
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: BAS316,H3F
Price: 0.02448 USD
Availability: InStock
Rating: 4.9 (531 reviews)

Numero parte MFG: BAS316,H3F

quantità disponibile: 24300 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 0.02448

Il nostro prezzo: Abbiamo un grande sconto, non esitate a contattarci

Data di spedizione: Oggi possiamo spedire

fabbricante: Toshiba Semiconductor and Storage

Breve descrizione: - DIODE GEN PURP 100V 250MA USC

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Diodi - Raddrizzatori - Singoli

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: BAS316,H3F.pdf

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BAS316,H3F specificazioni

codice articolo del costruttore	BAS316,H3F
Numero di parte futuro	FT-BAS316,H3F
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	-
BAS316,H3F Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Active
Diodo	Standard
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max)	100V
Corrente: media rettificata (Io)	250mA
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If	1.25V @ 150mA
Velocità	Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr)	3ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr	200nA @ 80V
Capacità @ Vr, F	0.35pF @ 0V, 1MHz
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto / caso	SC-76, SOD-323
Pacchetto dispositivo fornitore	USC
Temperatura operativa - Giunzione	150°C (Max)
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
BAS316,H3F Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	BAS316,H3F-FT

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