casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / BAS516,L3F
codice articolo del costruttore | BAS516,L3F |
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Numero di parte futuro | FT-BAS516,L3F |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BAS516,L3F Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 100V |
Corrente: media rettificata (Io) | 250mA |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.25V @ 150mA |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 3ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 200nA @ 80V |
Capacità @ Vr, F | 0.35pF @ 0V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SC-79, SOD-523 |
Pacchetto dispositivo fornitore | ESC |
Temperatura operativa - Giunzione | 150°C (Max) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BAS516,L3F Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BAS516,L3F-FT |
56DN06ELEMXPSA1
Infineon Technologies
5817SMG/TR13
Microsemi Corporation
5817SMGE3/TR13
Microsemi Corporation
5818SMG/TR13
Microsemi Corporation
5818SMGE3/TR13
Microsemi Corporation
5819SMG/TR13
Microsemi Corporation
5819SMGE3/TR13
Microsemi Corporation
5822SMG/TR13
Microsemi Corporation
62-0209PBF
Infineon Technologies
62-0216PBF
Infineon Technologies