casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Zener - Single / BZT52C33-G3-18
codice articolo del costruttore | BZT52C33-G3-18 |
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Numero di parte futuro | FT-BZT52C33-G3-18 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
BZT52C33-G3-18 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Voltage - Zener (Nom) (Vz) | 33V |
Tolleranza | ±5% |
Potenza - Max | 410mW |
Impedenza (Max) (Zzt) | 40 Ohms |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 100nA @ 25V |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | - |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SOD-123 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOD-123 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BZT52C33-G3-18 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BZT52C33-G3-18-FT |
BZT52B6V2-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52B6V2-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52B6V2-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52B6V2-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52B6V8-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52B6V8-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52B6V8-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52B6V8-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52B6V8-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52B75-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
AGLN125V5-VQG100I
Microsemi Corporation
5SGSMD3E3H29C4N
Intel
LFXP15C-3F256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-95EA-8LFN1156C
Lattice Semiconductor Corporation
ICE40LP4K-CM121
Lattice Semiconductor Corporation
10AX057H2F34I2LG
Intel
EP2C70F896C7N
Intel
EP2S130F1508C5N
Intel
EP4SGX230DF29I3N
Intel
EP20K60EQC208-1
Intel