casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Zener - Single / BZT52B6V2-G3-08
codice articolo del costruttore | BZT52B6V2-G3-08 |
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Numero di parte futuro | FT-BZT52B6V2-G3-08 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
BZT52B6V2-G3-08 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Voltage - Zener (Nom) (Vz) | 6.2V |
Tolleranza | ±2% |
Potenza - Max | 410mW |
Impedenza (Max) (Zzt) | 4.8 Ohms |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 100nA @ 2V |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | - |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SOD-123 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOD-123 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BZT52B6V2-G3-08 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BZT52B6V2-G3-08-FT |
BZT52B2V7-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52B2V7-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52B30-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52B30-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52B30-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52B30-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52B30-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52B33-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52B33-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52B33-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
LCMXO2280C-3TN100I
Lattice Semiconductor Corporation
XCV600-6FG676C
Xilinx Inc.
M1A3PE3000L-FGG484
Microsemi Corporation
A3P1000-PQ208
Microsemi Corporation
ICE40UL1K-SWG16ITR50
Lattice Semiconductor Corporation
A42MX09-VQG100I
Microsemi Corporation
AGL030V2-VQG100
Microsemi Corporation
EP4CE30F23C7
Intel
EP4SGX290KF43C2N
Intel
A54SX16A-1TQ100M
Microsemi Corporation