casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Zener - Single / BZT52B6V8-E3-18
codice articolo del costruttore | BZT52B6V8-E3-18 |
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Numero di parte futuro | FT-BZT52B6V8-E3-18 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BZT52B6V8-E3-18 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Voltage - Zener (Nom) (Vz) | 6.8V |
Tolleranza | ±2% |
Potenza - Max | 410mW |
Impedenza (Max) (Zzt) | 4.5 Ohms |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 100nA @ 3V |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | - |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SOD-123 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOD-123 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BZT52B6V8-E3-18 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BZT52B6V8-E3-18-FT |
BZT52B30-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52B30-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52B30-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52B33-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52B33-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52B33-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52B33-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52B33-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52B36-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52B36-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
A40MX04-2VQG80
Microsemi Corporation
LCMXO2-2000ZE-2TG144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC3SD3400A-4CSG484I
Xilinx Inc.
M7A3P1000-2FG484I
Microsemi Corporation
M2GL010TS-VFG256
Microsemi Corporation
A3PN030-Z2VQ100
Microsemi Corporation
10M16DAF256I7G
Intel
5SGXMA7N3F45C3
Intel
LFE2M20SE-5FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2SGX90FF1508C3
Intel