casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Zener - Single / BZT52B6V8-G3-08
codice articolo del costruttore | BZT52B6V8-G3-08 |
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Numero di parte futuro | FT-BZT52B6V8-G3-08 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
BZT52B6V8-G3-08 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Voltage - Zener (Nom) (Vz) | 6.8V |
Tolleranza | ±2% |
Potenza - Max | 410mW |
Impedenza (Max) (Zzt) | 4.5 Ohms |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 100nA @ 3V |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | - |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SOD-123 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOD-123 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BZT52B6V8-G3-08 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BZT52B6V8-G3-08-FT |
BZT52B30-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52B30-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52B33-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52B33-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52B33-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52B33-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52B33-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52B36-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52B36-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52B36-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC3S400-4PQ208I
Xilinx Inc.
XC7A12T-L2CSG325E
Xilinx Inc.
XC7S75-1FGGA676I
Xilinx Inc.
M1A3PE1500-FG484I
Microsemi Corporation
M1A3PE3000L-1FGG484M
Microsemi Corporation
EP20K200EFC672-1N
Intel
EP20K100EFC144-2N
Intel
5SGXEB5R2F43I3L
Intel
EP4SE360F35C2N
Intel
XC4VLX40-10FFG1148I
Xilinx Inc.