casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Zener - Single / BZD17C51P-E3-18
codice articolo del costruttore | BZD17C51P-E3-18 |
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Numero di parte futuro | FT-BZD17C51P-E3-18 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BZD17C51P-E3-18 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Voltage - Zener (Nom) (Vz) | 51V |
Tolleranza | - |
Potenza - Max | 800mW |
Impedenza (Max) (Zzt) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 1µA @ 39V |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.2V @ 200mA |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-219AB |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-219AB (SMF) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BZD17C51P-E3-18 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BZD17C51P-E3-18-FT |
BZD27C91P-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27B39P-M3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27B3V6P-M3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27B91P-M3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C110P-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C180P-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C27P-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C36P-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C51P-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27B36P-M3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
ICE40HX1K-TQ144
Lattice Semiconductor Corporation
AX500-1FGG484M
Microsemi Corporation
LFE5UM-85F-8BG381I
Lattice Semiconductor Corporation
A1010B-1PLG68I
Microsemi Corporation
EPF10K50EFC256-2N
Intel
10CX105YF672E6G
Intel
XC7A200T-2SBG484I
Xilinx Inc.
LCMXO2-4000HC-6FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066N2F40E2LG
Intel
EP1S30F780C7N
Intel