casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Zener - Single / BZD27C180P-E3-08
codice articolo del costruttore | BZD27C180P-E3-08 |
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Numero di parte futuro | FT-BZD27C180P-E3-08 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101, BZD27C |
BZD27C180P-E3-08 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Voltage - Zener (Nom) (Vz) | 180V |
Tolleranza | - |
Potenza - Max | 800mW |
Impedenza (Max) (Zzt) | 400 Ohms |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 1µA @ 130V |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.2V @ 200mA |
temperatura di esercizio | -65°C ~ 175°C |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-219AB |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-219AB (SMF) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BZD27C180P-E3-08 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BZD27C180P-E3-08-FT |
MMSZ5262C-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
MMSZ5262C-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
MMSZ5262C-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
MMSZ5262C-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
MMSZ5263B-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
MMSZ5263B-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
MMSZ5263B-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
MMSZ5263B-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
MMSZ5263B-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
MMSZ5263C-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC3S200A-5FG320C
Xilinx Inc.
APA600-CGS624M
Microsemi Corporation
A42MX24-PQG208M
Microsemi Corporation
A54SX16P-1VQ100M
Microsemi Corporation
AGLN060V2-ZVQ100
Microsemi Corporation
EP3C80F484C8N
Intel
EP4SGX230KF40C2N
Intel
5SGXEB5R3F40C2N
Intel
A40MX02-2PL44I
Microsemi Corporation
10AX066K2F40E2SG
Intel