casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Zener - Single / BZD27B91P-M3-08
codice articolo del costruttore | BZD27B91P-M3-08 |
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Numero di parte futuro | FT-BZD27B91P-M3-08 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101, BZD27B-M |
BZD27B91P-M3-08 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Voltage - Zener (Nom) (Vz) | 91V |
Tolleranza | - |
Potenza - Max | 800mW |
Impedenza (Max) (Zzt) | 200 Ohms |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 1µA @ 68V |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.2V @ 200mA |
temperatura di esercizio | -65°C ~ 175°C |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-219AB |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-219AB (SMF) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BZD27B91P-M3-08 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BZD27B91P-M3-08-FT |
MMSZ5262C-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
MMSZ5262C-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
MMSZ5262C-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
MMSZ5262C-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
MMSZ5262C-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
MMSZ5262C-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
MMSZ5263B-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
MMSZ5263B-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
MMSZ5263B-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
MMSZ5263B-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
LFECP6E-5TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
AFS600-2FG484I
Microsemi Corporation
M7AFS600-1FG484
Microsemi Corporation
EP2C50F484C6
Intel
5SGXMA3E2H29I2LN
Intel
5SEEBH40I3N
Intel
XC2V1000-4BGG575C
Xilinx Inc.
A54SX08-2FGG144I
Microsemi Corporation
LFE3-70EA-8FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K100QC240-3
Intel