casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Zener - Single / BZD27B3V6P-M3-08
codice articolo del costruttore | BZD27B3V6P-M3-08 |
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Numero di parte futuro | FT-BZD27B3V6P-M3-08 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101, BZD27B-M |
BZD27B3V6P-M3-08 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Voltage - Zener (Nom) (Vz) | 3.6V |
Tolleranza | - |
Potenza - Max | 800mW |
Impedenza (Max) (Zzt) | 8 Ohms |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 100µA @ 1V |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.2V @ 200mA |
temperatura di esercizio | -65°C ~ 175°C |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-219AB |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-219AB (SMF) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BZD27B3V6P-M3-08 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BZD27B3V6P-M3-08-FT |
MMSZ5262B-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
MMSZ5262C-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
MMSZ5262C-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
MMSZ5262C-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
MMSZ5262C-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
MMSZ5262C-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
MMSZ5262C-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
MMSZ5263B-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
MMSZ5263B-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
MMSZ5263B-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC4005XL-09VQ100C
Xilinx Inc.
A3PE600-2FGG484
Microsemi Corporation
AX250-FG484M
Microsemi Corporation
10CX105YU484E5G
Intel
5SGXEABK1H40I2N
Intel
XC5VLX155T-1FFG1136C
Xilinx Inc.
XC7A50T-1CPG236I
Xilinx Inc.
LFE2-20SE-7F256C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMB3G6F31C6N
Intel
EPF10K100ABC356-3
Intel